Терфил что это такое

СОДЕРЖАНИЕ

1 488 просмотров

17 августа 2019

Геотекстильный материал
Ликвидация
Учредители
Финансы
Судебные дела
Долги
Проверки
Филиалы и представительства
Связи
Госзакупки
Это ваша компания?
Лицензии
Последние изменения
Краткая справка

FinFET транзисторы – это новое направление в проектировании микросхем, в котором за счет использования трехмерного затвора транзистора в форме плавника повышается эффективная ширина затвора при сходной площади логической ячейки.

Структура состоит из “плавника” (fin) — т.е. из области диффузии для стока и истока, которая окружена затвором. Физические размеры транзистора описываются высотой плавника, толщиной плавника (или кремния) и длиной канала.После такого описания и с учетом того, что вы читали прошлые заметки цикла, вы можете понять, что такое уменьшение пойдет на пользу компоновки изделия. Но на этом самое интересное только начинается. Так как инженерам не спится спокойно и их мучает интеллектуальные и проектные изыскания с целью таки создать «убер-вафлю», они понапридумывали еще несколько разновидностей этого транзистора.

SG (Shorted-Gate) или TG (Tri-gate) FinFET — затворы транзистора соединены между собой. В данный момент активно осваивается в приложении к высокопроизводительным системам.
IG (Independent-Gate) или DG (Double-Gate) FinFET, затворы транзистора независимы (на каждый затвор подается свой сигнал). Очень интересны с точки зрения применения для создания простейших логических топологических единиц. В плане уменьшения статической мощности и занимаемой площади для элементов NAND2, NOR2 и NOT IG-FinFET эффективнее, чем SG-FinFET. Затворы IG-FinFET транзистора независимы, это позволяет использовать один из затворов (back-gate) для обратного смещения транзистора, что дает возможность управлять пороговым напряжением этого транзистора, а тем самым и утечками и задержками транзистора. А это его главнейшие параметры. Для тех, кто в танке: от этого зависит чистота работы транзистора, т.е скорость переключения. Чем быстрее она при одинаковой микроархитектуре, тем быстрее ваши игрульки и контактики бегают. В данный момент технология производства данного вида транзисторов только только обкатывается на массовых продуктах в микроэлектронике — это очень интересная подложка с использованием арсенида индия-галлия и фосфида индия. Кремниевые ребра FinFET-транзисторов на арсенид индия-галлия (InGaAs) и фосфид индия (InP), хорошо согласующиеся с 8%-ным несовпадением атомарных решеток. Новый метод основан на улавливании соразмерных дефектов кристаллической решетки, структуре канавок и инновациях в эпитаксиальном процессе. В результате вещества III-V групп, интегрированные в кремниевом FinFET-устройстве, показывают отличные технические характеристики.

Также в данный момент идут интенсивное изменение и поиск оптимальной геометрической формы плавника. При низком напряжении на затворе максимальная плотность тока наблюдается посередине канала, где затвор в наименьшей степени способен контролировать переключение устройства. Обедненная область, появление которой связано с высоколегированной областью в самой нижней части канала, предотвращает протекание тока в этой зоне, что является недостатком архитектуры FinFET. При высоком напряжении затвора ток протекает в направлении поверхности раздела. Плотность тока в этой области максимальна за счет фокусирующего действия поля затвора и квантово-механического эффекта концентрации заряда в малой кольцевой зоне.Самое интересное нововведение — это изменения распределения легирования в плавнике. Если верить информации, гуляющей по сети, то все крупные игроки так и не пришли к общему выводу. И даже все образовываемые консорциумы не особо делятся данными технологиями внутри.

Вот представьте, что у вас между соседними транзисторами не превышает 8 нм. А сложность травления растет…

Сложность проектирования растет пропорционально. В данный момент вышло 3 сборника основных решений топологии и ограничений при проектировании, еще не до конца освоенного контрактным производителем в лице TSMC процесса 16 нм при использовании FinFet транзисторов — при том, что 16 нм — это величина самого маленького элемента.

Но вернемся к самим транзисторам. Теперь слой диэлектрика приходится увеличить до 8-12 слоев металлизации, а всему вина сложность травления в вертикальной проекции. Из-за невозможности гарантировано произвести одинаковую по качеству операцию, что приведет к большим проблемам во время металлизации, и так разрушающей кристаллическую решетку… А там и токи утечки подтянутся, которые все не особо хороши. Но главное преимущество у нас в рукаве — расположение! Вертикальное расположение позволяет изменить длину соединений и соответственно шумов и паразитных излучений. А также длину пути сигнала, что способствует улучшению частотных характеристик. Но за все приходится платить — в данном случае сильно возросшим тепловым потоком. Раньше количество транзисторов на единицу площади было в несколько раз меньше, и виной тут не только и не столько

Содержание

Геотекстильный материал

Для защиты от солнечного излучения и атмосферных осадков геотекстильного материала , уложенного на поверхность неподтопляемых откосов, устраивают фунтовое покрытие из песка, гра-вийно-песчаной смеси, торфа. Грунты доставляют из карьеров, разгружают на обочинах и распределяют по откосу слоем требуемой толщины бульдозерами или экскаваторами-планировщиками. В качестве защитного слоя подтопляемых откосов канав используют битумную эмульсию. [17]

Рассчитаем из формулы ( 56) числа слоев геотекстильного материала марки доронит по ТУ 21 — 29 — 81 — 81, необходимых для изготовления силового пояса пригрузов типа ВГП. [18]

При выборе способа скрепления следует учитывать возможность изменения свойств геотекстильного материала в зоне стыка. При сварке ухудшается водопроницаемость полотна, поэтому сварка не годится для соединения полотен, выполняющих дренажную функцию, например под сборным цементобетонным покрытием. [19]

Банки отходов обычно хранятся долго за счет применения комбинации многослойной изоляции ( использующей глину, геотекстильный материал , пластиковые пленки и т.п.), системы отвода всей грунтовой воды, а также водонепроницаемых покрывающих пленок. Необходимо наблюдать за долгосрочными хранилищами в течение десятилетий. Ограничения на использование земли, отведенной под данные хранилища, также должны соблюдаться и контролироваться в течение долгого времени. Контролируемые дренажные системы для выщелачивателей и газов также необходимы в большинстве случаев. [20]

Читайте также: Йод для грибка ногтей

Эксперименты, проведенные в Гипротюменнефтегазе, показали, что удерживающая способность торфяной засыпки, армированной геотекстильными материалами , недостаточна для обеспечения устойчивости положения трубопроводов на болотах. С целью ее увеличения необходимо производить частичную или полную замену торфа минеральным грунтом. [21]

Этим способом можно формировать холсты для изготовления тяжелых и среднетяжелых нетканых материалов, используемых в производстве линолеума, геотекстильных материалов , фильтров с большой плотностью, гидро — и электроизоляционных материалов. [22]

С этой целью применяются различные технологии — от создания элементарных глинистых экранов до использования быстроотверждающих полимерных средств и геотекстильных материалов . Как показывает опыт, глинистые экраны являются недостаточно надежным противофильтрационным решением, и при длительном хранении отходов бурения почти повсеместно фиксируется миграция компонентов отходов бурения за пределы амбаров. [23]

Для изучения возможности расширения области применения защитных конструкций были проведены исследования по улучшению свойств покрытий путем укрепления грунтов геотекстильным материалом марки Терфил , стеклосеткой СПАП, автопокрышками. [25]

Технологический процесс устройства защитного экрана включает следующие операции: уполаживание и планировку берегового откоса, раскатку вниз по откосу рулонов геотекстильного материала с перекрытием полотнищ и закреплением их в верхней части откоса, подготовку отрезков материала для перегородок и их закрепление к основному покрытию ( перегородки отгибают вниз по откосу), засыпку покрытия сверху вниз с последовательной укладкой перегородок на откосы фунтовых призм и закреплением с помощью шпилек. [26]

В 1982 г. впервые в нашей стране при сооружении газового коллектора на Уренгойском месторождении для закрепления трубопроводов на проектных отметках были использованы геотекстильные материалы и грунт обратной засыпки. [27]

Во многих случаях низкая плотность полипропилена является преимуществом, но при возведении дорог на слабых и болотистых почвах необходимы более тяжелые материалы. Один из наиболее существенных недостатков полипропиленовых геотекстильных материалов — их склонность к ползучести, более высокая, чем у полиэфирных материалов. Однако стоимость геотекстиля из полиэфира в среднем на 36 % выше, чем из полипропилена и при значительных объемах строительных работ это может оказаться решающим фактором. [28]

Однако полиэфирные волокна и нити не устойчивы к действию щелочных сред, что ограничивает их применение для материалов, имеющих контакт с известью, например при стабилизации цементных сооружений. По этой причине не рекомендуют применять полиэфирные геотекстильные материалы при строительстве тоннелей и гидросооружений. В то же время по прочности на разрыв полиэфирные материалы превосходят полипропиленовые. [29]

В современном сельском хозяйстве непрерывно возрастает роль химических волокон и нитей. Помимо изготовления спецодежды химическое текстильное сырье используют в значительных количествах для производства упаковочных средств, кровельных и защитных покрытий, фильтров, геотекстильных материалов . [30]

ТОО Терфил, Нижневартовск – полные сведения из официальных источников: контакты, учредители, руководство, реквизиты и прочие данные о компании.

Ликвидация

Организация ликвидирована: 5 мая 2012 г.

Способ прекращения: ПРЕКРАЩЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЮРИДИЧЕСКОГО ЛИЦА В СВЯЗИ С ИСКЛЮЧЕНИЕМ ИЗ ЕГРЮЛ НА ОСНОВАНИИ П.2 СТ.21.1 ФЕДЕРАЛЬНОГО ЗАКОНА ОТ 08.08.2001 №129-ФЗ

Учредители

Данные об учредителях ТОО Терфил отсутствуют в ЕГРЮЛ.

Финансы

Сведения о финансовых показателях организации отсутствуют.

Судебные дела

Информация об участии организации в судебных делах отсутствует.

Долги

Информация об исполнительных производствах в отношении ТОО Терфил не найдена.

Проверки

Данных о проведении в отношении ТОО Терфил плановых и внеплановых проверок нет.

Филиалы и представительства

Сведения о филиалах и представительствах ТОО Терфил отсутствуют.

Связи

Связанных с ТОО Терфил организаций и индивидуальных предпринимателей не выявлено.

Госзакупки

Сведения об участии ТОО Терфил в госзакупках в качестве поставщика или заказчика по 44-ФЗ, 94-ФЗ и 223-ФЗ отсутствуют.

Это ваша компания?

Добавьте на страницу организации ту информацию, которую хотите сообщить партнерам и контрагентам! Укажите контактные данные, расскажите о своей компании и рекламируйтесь на страницах конкурентов.

Лицензии

Сведения о лицензиях у организации отсутствуют.

Последние изменения

ВНЕСЕНИЕ В ЕДИНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РЕЕСТР ЮРИДИЧЕСКИХ ЛИЦ СВЕДЕНИЙ О ПРЕКРАЩЕНИИ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЮРИДИЧЕСКОГО ЛИЦА В СВЯЗИ С ИСКЛЮЧЕНИЕМ ИЗ ЕДИНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО РЕЕСТРА ЮРИДИЧЕСКИХ ЛИЦ НА ОСНОВАНИИ П.2 СТ.21.1 ФЕДЕРАЛЬНОГО ЗАКОНА ОТ 08.08.2001 №129-ФЗ

Внесение в ЕГРЮЛ сведений о ЮЛ, созданном до 01.07.2002, по сведениям налоговых органов

Краткая справка

ТОО Терфил действует с 20 декабря 1991 г., ОГРН присвоен 5 мая 2012 г. регистратором ИНСПЕКЦИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЙ НАЛОГОВОЙ СЛУЖБЫ ПО СУРГУТСКОМУ РАЙОНУ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА — ЮГРЫ. Руководитель организации: руководитель юридического лица Михарский Анатолий Викторович. Юридический адрес ТОО Терфил — 628615, Ханты-Мансийский Автономный округ — Югра, город Нижневартовск, улица Нефтяников, 78, 68.

Виды деятельности организации не указаны. Организации ТОВАРИЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ТЕРФИЛ присвоены ИНН 8603027543, ОГРН 1128603013890.

Организация ТОВАРИЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ТЕРФИЛ ликвидирована 5 мая 2012 г. Причина: ПРЕКРАЩЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЮРИДИЧЕСКОГО ЛИЦА В СВЯЗИ С ИСКЛЮЧЕНИЕМ ИЗ ЕГРЮЛ НА ОСНОВАНИИ П.2 СТ.21.1 ФЕДЕРАЛЬНОГО ЗАКОНА ОТ 08.08.2001 №129-ФЗ.

Телефон, адрес электронной почты, адрес официального сайта и другие контактные данные ТОО Терфил отсутствуют в ЕГРЮЛ и могут быть добавлены представителем организации.

Комментировать